SPP08P06P H

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
SPP08P06P H
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
通道数量1Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id8.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs300mΩ
栅极电压Vgs-10V
Qg-栅极电荷10nC
配置Single
Pd-功率耗散(Max)42W
高度15.65mm
长度10mm
系列SPP08P06
FET类型P-Channel
宽度4.4mm
正向跨导 - 最小值1.5S
下降时间14ns
上升时间46ns
典型关闭延迟时间48ns
典型接通延迟时间16ns
工作温度-55°C~175°C

功率MOSFET   10mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。